MMBZ5259BLT1
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

MMBZ5259BLT1

onsemi
概要: テープ&リール (TR) ±5% 表面実装 ツェナー ダイオード ツェナー ダイオード 900mV @ 10mA 100nA @ 30V 225mW 39V
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
MMBZ5259BLT1 ON 2000 2989 PDF 見積
MMBZ5259BLT1 ON 6 6000 PDF 見積
MMBZ5259BLT1 ON 2,000 2989 PDF 見積
MMBZ5259BLT1 ON SEMICONDUCTOR 2749 PDF 見積
MMBZ5259BLT1 ON-SEMI (ON Semiconductor) 0301 1415 PDF 見積
MMBZ5259BLT1 ON-SEMI (On Semiconductor) 05 2570 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最低動作温度 -65 °C
ピーク逆電流 100 nA
定格電圧 (DC) 39 V
ツェナー電流 (Iz) 3.2 mA
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ TO-236-3
素子構成 1回路
発売日 1994-05-01
鉛フリー 鉛含有
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
極性 単方向
許容差 5 %
最大消費電力 225 mW
最大逆方向漏れ電流 (IR) 100 nA
消費電力 300 mW
定格電力 225 mW
基準電圧 (Vref) 39 V
スタンドオフ電圧 (VRWM) 30 V
電圧許容差 5 %
ツェナー電圧 (Vz) 39 V
最終受注日 2006-12-31
最終納入日 2007-06-30
材質 樹脂
定格 AEC-Q101
インピーダンス 80 Ω