MMSZ5258BT1G
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異なる場合があります。

MMSZ5258BT1G

onsemi
概要: ダイオード, ツェナー, 標準, VR 36V, IF 10MA, PKG SOD-123,VF 0.9V, TJ +150DEGC, PD 500MW
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
MMSZ5258BT1G ONS 6000 PDF 見積
MMSZ5258BT1G ONSemiconductor 8700 PDF 見積
MMSZ5258BT1G ON 3 PDF 見積
MMSZ5258BT1G ON 1286 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最低動作温度 -55 °C
ピーク逆電流 100 nA
定格電圧 (DC) 36 V
1.8 mm
動作電圧 36 V
ツェナー電流 (Iz) 3.4 mA
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOD-123-2
高さ 1.25 mm
長さ 2.84 mm
素子構成 1回路
鉛フリー 鉛フリー
素子数 1
ピン数 2
端子数 2
梱包形態 テープ&リール
極性 単方向
耐放射線 なし
許容差 5 %
降伏電圧 37.8 V
順方向電圧 (VF) 900 mV
最大消費電力 500 mW
最大逆方向漏れ電流 (IR) 100 nA
消費電力 500 mW
定格電力 500 mW
基準電圧 (Vref) 36 V
試験電流 3.4 mA
電圧許容差 5 %
ツェナー電圧 (Vz) 36 V
コンタクトめっき