1N1186JAN
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1N1186JAN

Microchip
カテゴリ: MOSFET
概要: スイッチングダイオード 200V 35A 2ピン DO-5
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
1N1186JAN NAE 6,001 13 PDF 見積
1N1186JAN NAE 6,001 1 PDF 見積
1N1186JAN NAE/SEMICON 6,880 9 PDF 見積
1N1186JAN SEMICON 6,184 1 PDF 見積
1N1186JAN GE 71 3 PDF 見積
1N1186JAN GE 75 1 PDF 見積
1N1186JAN GE 72 1 PDF 見積
1N1186JAN GE 71 1 PDF 見積
1N1186JAN GE 72 4 PDF 見積
1N1186JAN IRC 67 1 PDF 見積
1N1186JAN NAE 72 2 PDF 見積
1N1186JAN NAE 73 2 PDF 見積
1N1186JAN NAE 81 2 PDF 見積
1N1186JAN NAE 73 2 PDF 見積
1N1186JAN NAE 78 2 PDF 見積
1N1186JAN DIOD 87 6 PDF 見積
1N1186JAN NAE 81 10 PDF 見積
1N1186JAN NAE 75 1 PDF 見積
1N1186JAN RCA 65 2 PDF 見積
1N1186JAN SEMI 82 1 PDF 見積
1N1186JAN SEMI 86 11 PDF 見積
1N1186JAN SEMI 82 2 PDF 見積
1N1186JAN SEMI 82 6 PDF 見積
1N1186JAN NAE Jan-80 3 PDF 見積
1N1186JAN NAE 78 8 PDF 見積
1N1186JAN TRW 70 6 PDF 見積
1N1186JAN TRW Jan-70 4 PDF 見積
1N1186JAN TRW 70 1 PDF 見積
1N1186JAN TRW 69 1 PDF 見積
1N1186JAN WEST 66 1 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最低動作温度 -65 °C
非繰り返しピークサージ電流 (ITSM) 500 A
ピーク逆電流 10 µA
最大動作温度 175 °C
素子構成 1回路
実装方式 スタッド
ピン数 2
順方向電流 (IF) 35 A
最大繰り返し逆電 (Vrrm) 200 V