MOSFET

型番 メーカー 概要
TP0202T-T1 Vishay 小信号電界効果トランジスタ, 0.41A I(D), 20V, 1素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-236AB
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba パワー電界効果トランジスタ, 80A I(D), 40V, 0.0079Ω, 1素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
SIRA12BDP-T1-GE3 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 60A I(D), 30V, 0.0043Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
SI9945AEY-T1-E3 Vishay デュアルNチャネル 60V(D-S)175℃ MOSFETパワー電界効果トランジスタ, 3.7A I(D), 60V, 0.08Ω, 2素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
SI9430DY Vishay P-チャネル 20-V (D-S) MOSFET 小信号 Field-Effect トランジスタ, 5.8A I(D), 20V, 1素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
SI9400DY Vishay 小信号電界効果トランジスタ, 2.5A I(D), 20V, 1素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
SI7852DP-T1-GE3 Vishay MOSFETトランジスタ Nチャネル 80V 7.6A 8ピン PowerPAK SO EP テープ&リール
SI7415DN-T1-E3 Vishay シングル P-チャネル 60V 0.065Ω 表面実装 パワーMOSFET - PowerPAK-1212-8
SI4544DY Vishay パワー電界効果トランジスタ, 6.5A I(D), 30V, 0.035Ω, 2-素子, NチャネルおよびP-チャネル, シリコン, Trench MOSFET FET
SI4425DY Vishay パワー電界効果トランジスタ, 11A I(D), 1素子, P-チャネル, 金属酸化膜半導体FET
SI4416DY-T1-E3 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 6.9A I(D), 30V, 0.018Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
SI3460BDV-T1-E3 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 8A I(D), 20V, 0.027Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
SI2315DS-T1-E3 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 3.5A I(D), 12V, 0.055Ω, 1素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-236AB
SI2301BDS-T1 Vishay P-チャネル MOSFET Rds=0.1Ω 2A 20V 0.9W TO-236(SOT-23)
IRLR024 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 14A I(D), 60V, 0.1Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-252
IRFR214TRPBF Vishay パワー電界効果トランジスタ, 2.2A I(D), 250V, 2Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-252AA
IRFD220 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 0.8A I(D), 1素子, Nチャネル, MOSFET
IRFD120PBF Vishay POWER MOSFET パワー電界効果トランジスタ, 1.3A I(D), 100V, 0.27Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET
IRFD120 Vishay トランジスタ MOSFET Nチャネル 100V 1.3A 4-ピン HVMDIP
IRFD024 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 2.5A I(D), 60V, 0.1Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET