AUIRF2807
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

AUIRF2807

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: 車載 GRADE HEXFET POWER MOSFET パワー電界効果トランジスタ, 75A I(D), 75V, 0.013Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 75 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 2 V
4.82 mm
ターンオフ遅延時間 49 ns
ターンオン遅延時間 13 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 75 V
ケース/パッケージ TO-220AB
高さ 20.57 mm
長さ 10.66 mm
梱包数量 1000
素子構成 1回路
立下り 時間 48 ns
発売日 2011-06-23
実装方式 スルーホール
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
耐放射線 なし
立上り 時間 64 ns
連続ドレイン電流 (ID) 75 A
ドレインソース間降伏電圧 75 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 230 W
消費電力 230 W
閾値電圧 2 V
コンタクトめっき