BTS113A
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BTS113A

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 11.5A I(D), 60V, 0.17Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 60 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 60 V
ターンオフ遅延時間 45 ns
ターンオン遅延時間 15 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 60 V
ケース/パッケージ TO-220-3
素子構成 1回路
立下り 時間 40 ns
発売日 1992-10-06
鉛フリー 鉛含有
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
立上り 時間 55 ns
連続ドレイン電流 (ID) 11.5 A
定格電流 11.5 A
ドレインソース間降伏電圧 60 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 10 V
最大デュアル電源電圧 60 V
最大消費電力 40 W
消費電力 40 W
ハロゲンフリー なし ハロゲンフリー
ドレインソース間抵抗 170 mΩ
入力容量 560 pF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 170 mΩ