BUK96180-100A
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BUK96180-100A

NXP Semiconductors
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 11A I(D), 1素子, Nチャネル, MOSFET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BUK96180-100A 1600 PDF 見積
BUK96180-100A NXP 1395 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 1.5 V
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 100 V
ケース/パッケージ SOT-404
発売日 2000-07-26
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
連続ドレイン電流 (ID) 11 A
最大消費電力 54 W
消費電力 54 W
コンタクトめっき
最終受注日 2019-12-31
最終納入日 2020-06-30
定格 AEC-Q101
ドレインソース間抵抗 200 mΩ