BUZ31
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BUZ31

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: SIPMOS POWER トランジスタ パワー電界効果トランジスタ, 14.5A I(D), 200V, 0.2Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BUZ31 INFINEON 2 700 PDF 見積
BUZ31 SIE 93 81 PDF 見積
BUZ31 PH 88 50 PDF 見積
BUZ31 SIE 99 365 PDF 見積
BUZ31 492 PDF 見積
BUZ31 54 PDF 見積
BUZ31 inf dc0423 600 PDF 見積
BUZ31 sie dc88 150 PDF 見積
BUZ31 inf dc01 100 PDF 見積
BUZ31 HARRIS 9540 31 PDF 見積
BUZ31 SIEMENS 0 459 PDF 見積
BUZ31 MOTOROLA 99 127 PDF 見積
BUZ31 INFINEON 1 117 PDF 見積
BUZ31 INFINEON 1 200 PDF 見積
BUZ31 SIEMENS 97 166 PDF 見積
BUZ31 MOTO 5 PDF 見積
BUZ31 54 PDF 見積
BUZ31 SIEMENS 95 98 PDF 見積
BUZ31 SIEMENS 95 98 PDF 見積
BUZ31 7400 PDF 見積
お問い合わせ
主な取引先
FORESKYが選ばれる理由
  • 入手困難品もスピード調達
  • 元メーカー技術者が代替品を提案
  • 基本6ヶ月保証(返金・交換対応)
  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 200 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 3 V
定格電圧 (DC) 200 V
ターンオフ遅延時間 150 ns
ターンオン遅延時間 12 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 200 V
ケース/パッケージ TO-220-3
高さ 20.75 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 60 ns
発売日 1981-07-14
鉛フリー 鉛フリー
リードピッチ 2.54 mm
実装方式 スルーホール
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
逆方向 回復 時間 170 ns
立上り 時間 50 ns
連続ドレイン電流 (ID) 14.5 A
定格電流 14.5 A
ドレインソース間降伏電圧 200 V
両電源電圧 200 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 75 W
消費電力 95 W