FDMC3612
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

FDMC3612

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 3.3A I(D), 100V, 0.11Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, mΩ-240BA
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
FDMC3612 ON 21 7600 PDF 見積
FDMC3612 FAIRCHILD 517 PDF 見積
FDMC3612 ON 21+ 11500 PDF 見積
FDMC3612 ON-SEMI(RoHS) 22 7 PDF 見積
FDMC3612 ON-SEMI(RoHS) 23 64 PDF 見積
FDMC3612 ON Semi 1559 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 2.5 V
3.3 mm
ターンオフ遅延時間 19 ns
ターンオン遅延時間 7.4 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 100 V
高さ 800 µm
長さ 3.3 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 2 ns
発売日 2010-07-28
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 5
耐放射線 なし
立上り 時間 2.8 ns
重量 180 mg
連続ドレイン電流 (ID) 3.3 A
ドレインソース間降伏電圧 100 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 35 W
消費電力 2.3 W
閾値電圧 2.5 V
コンタクトめっき