FDS7088SN3
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異なる場合があります。

FDS7088SN3

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 21A I(D), 30V, 0.004Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
FDS7088SN3 FAIRCHILD - 4 PDF 見積
FDS7088SN3 FAIRCHILD 5000 PDF 見積
FDS7088SN3 FAIRCHILD 5477 PDF 見積
FDS7088SN3 FAIRCHILD 4 PDF 見積
FDS7088SN3 FAIRCHILD 139 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 30 V
ターンオフ遅延時間 45 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
ケース/パッケージ SOIC
立下り 時間 33 ns
発売日 2004-09-08
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 8
端子数 8
立上り 時間 21 ns
連続ドレイン電流 (ID) 21 A
定格電流 21 A
ドレインソース間降伏電圧 30 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 3 W
消費電力 3 W
最終受注日 2010-06-03
最終納入日 2010-12-03
ドレインソース間抵抗 4 mΩ
入力容量 3.23 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 4 mΩ