IPD60R2K1CEAUMA1
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IPD60R2K1CEAUMA1

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: シングル Nチャネル 600V 2.1Ω 6.7 nC CoolMOS Power MOSFET - TO-252-3, PG-TO252-3, RoHS
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon 2500 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 600 V
最低動作温度 -40 °C
ターンオフ遅延時間 30 ns
ターンオン遅延時間 7 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 600 V
ケース/パッケージ TO-252-3
高さ 2.55 mm
梱包数量 2500
発売日 2014-09-25
鉛フリー 鉛含有
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
端子数 2
梱包形態 テープ&リール
連続ドレイン電流 (ID) 3.7 A
ドレインソース間降伏電圧 600 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大デュアル電源電圧 600 V
最大消費電力 22 W
消費電力 22 W
ハロゲンフリー ハロゲンフリー
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
ドレインソース間抵抗 2.1 Ω
入力容量 140 pF
オン抵抗 (RDS(on)) 2.1 Ω
最大オン抵抗 (Rds(on)) 2.1 Ω