IRF230
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF230

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 9A I(D), 200V, 0.49Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-204AA
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF230 0 PDF 見積
IRF230 IR 529 96 PDF 見積
IRF230 IR 529 96 PDF 見積
IRF230 HARRIS 97 70 PDF 見積
IRF230 IR 88 9 PDF 見積
IRF230 FAIRCHILD 86 35 PDF 見積
IRF230 FAIRCHILD 86 20 PDF 見積
IRF230 20 PDF 見積
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IRF230 HARRIS 97 70 PDF 見積
IRF230 IR 88 9 PDF 見積
IRF230 FAIRCHILD 86 35 PDF 見積
IRF230 FAIRCHILD 86 20 PDF 見積
IRF230 Siliconix 4 PDF 見積
IRF230 Siliconix 90 PDF 見積
IRF230 Siliconix 23 PDF 見積
IRF230 Siliconix 14 PDF 見積
IRF230 Siliconix 4 PDF 見積
IRF230 8 PDF 見積
IRF230 HARRIS 90 2 PDF 見積
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  • 入手困難品もスピード調達
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  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 200 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 4 V
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 200 V
ケース/パッケージ TO-3
発売日 1990-01-01
鉛フリー 鉛含有
リードピッチ 11 mm
実装方式 スルーホール
素子数 1
ピン数 2
端子数 2
耐放射線 なし
重量 10 g
連続ドレイン電流 (ID) 9 A
ドレインソース間降伏電圧 200 V
両電源電圧 200 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 75 W
消費電力 75 W
本体材質 金属
終端 スルーホール
ドレインソース間抵抗 490 mΩ
オン抵抗 (RDS(on)) 400 mΩ