IRF5803TRPBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF5803TRPBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 3.4A I(D), 40V, 0.112Ω, 1素子, Pチャネル, シリコン, MOSFET, mΩ-193AA
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF5803TRPBF IR 1,040 2789 PDF 見積
IRF5803TRPBF IR 15000 PDF 見積
IRF5803TRPBF IR 15000 PDF 見積
IRF5803TRPBF IR 818 749 PDF 見積
IRF5803TRPBF IR 2012 15000 PDF 見積
IRF5803TRPBF 6000 PDF 見積
IRF5803TRPBF IR 15000 PDF 見積
IRF5803TRPBF INFINEON 21 12100 PDF 見積
IRF5803TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 1472 PDF 見積
IRF5803TRPBF Infineon 2148+ 3000 PDF 見積
IRF5803TRPBF Infineon 10000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -40 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) -40 V
1.4986 mm
ターンオフ遅延時間 88 ns
ターンオン遅延時間 43 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 40 V
ケース/パッケージ SOT-23-6
高さ 1.45 mm
長さ 3.1 mm
梱包数量 3000
立下り 時間 50 ns
発売日 2001-03-05
鉛フリー 鉛含有
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 6
端子数 6
梱包形態 テープ&リール
耐放射線 なし
立上り 時間 550 ns
連続ドレイン電流 (ID) 3.4 A
定格電流 -3.4 A
ドレインソース間降伏電圧 -40 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 2 W
消費電力 2 W