IRF6645TR1PBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF6645TR1PBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: DIRECTFET POWER MOSFET パワー電界効果トランジスタ, 5.7A I(D), 100V, 0.035Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF6645TR1PBF INTERNATIONAL - 16 PDF 見積
IRF6645TR1PBF ir dc0703 1000 PDF 見積
IRF6645TR1PBF IR 1,025 352 PDF 見積
IRF6645TR1PBF IR 1025 292 PDF 見積
IRF6645TR1PBF 10 PDF 見積
IRF6645TR1PBF INTERNATIONAL 16 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
最低動作温度 -40 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 3 V
定格電圧 (DC) 100 V
3.95 mm
ターンオフ遅延時間 18 ns
ターンオン遅延時間 9.2 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 100 V
高さ 700 µm
長さ 4.826 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 5.1 ns
発売日 2006-08-18
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 5
端子数 3
梱包形態 カットテープ
耐放射線 なし
回復 時間 47 ns
立上り 時間 5 ns
連続ドレイン電流 (ID) 5.7 A
定格電流 5.7 A
ドレインソース間降伏電圧 100 V
両電源電圧 100 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V