IRF9Z34NPBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF9Z34NPBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 19A I(D), 55V, 0.1Ω, 1素子, Pチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF9Z34NPBF IR 2011 30000 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 2,011 9900 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 966 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 966 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 8 9000 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 1,243 4794 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 1574 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 1300 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 2441 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 547 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 2012 10450 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 1320 12525 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 2000 1570 PDF 見積
IRF9Z34NPBF 8950 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 101600 PDF 見積
IRF9Z34NPBF INFINEON 18 14100 PDF 見積
IRF9Z34NPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 100 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 13+ 200 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IRN 1350 PDF 見積
IRF9Z34NPBF 3700 PDF 見積
IRF9Z34NPBF IR 18+ 380 PDF 見積
IRF9Z34NPBF Infineon 14000 PDF 見積
IRF9Z34NPBF INFINEON 6900 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -55 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) -4 V
定格電圧 (DC) -55 V
4.69 mm
ターンオフ遅延時間 30 ns
ターンオン遅延時間 13 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 55 V
ケース/パッケージ TO-220AB
高さ 8.77 mm
長さ 10.5156 mm
梱包数量 1000
素子構成 1回路
立下り 時間 41 ns
発売日 1997-06-16
鉛フリー 鉛フリー
リードピッチ 2.54 mm
実装方式 スルーホール
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 バルク
耐放射線 なし
回復 時間 82 ns
立上り 時間 55 ns
連続ドレイン電流 (ID) 19 A
定格電流 -19 A
ドレインソース間降伏電圧 -55 V