IRFB3006PBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFB3006PBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: MOSFET Nチャネル 60V 195A TO-220AB/トランジスタ MOSFET Nチャネル Si 60V 270A 3-ピン(3+Tab) TO-220AB チューブ
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFB3006PBF IR 1,241 220 PDF 見積
IRFB3006PBF 1118 PDF 見積
IRFB3006PBF IR 8 30 PDF 見積
IRFB3006PBF INFINEON 21 121 PDF 見積
IRFB3006PBF IR(RoHS) 09 69 PDF 見積
IRFB3006PBF IR(RoHS) 13 50 PDF 見積
IRFB3006PBF IR(RoHS) 08 30 PDF 見積
IRFB3006PBF Infineon 10000 PDF 見積
IRFB3006PBF INFINEON/IR 2000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 60 V
最低動作温度 -55 °C
4.826 mm
ターンオフ遅延時間 118 ns
ターンオン遅延時間 16 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 60 V
ケース/パッケージ TO-220AB
高さ 19.8 mm
長さ 10.668 mm
梱包数量 1000
素子構成 1回路
立下り 時間 189 ns
発売日 2008-10-06
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
チャネル数 1
素子数 1
端子数 3
耐放射線 なし
立上り 時間 182 ns
連続ドレイン電流 (ID) 195 A
ドレインソース間降伏電圧 60 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 375 W
消費電力 375 W
閾値電圧 3 V
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
ドレインソース間抵抗 2.5 mΩ