IRFB3307ZGPBF
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実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFB3307ZGPBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 120A I(D), 75V, 0.0058Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
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型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFB3307ZGPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 100 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 75 V
最低動作温度 -55 °C
4.826 mm
ターンオフ遅延時間 38 ns
ターンオン遅延時間 15 ns
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 75 V
ケース/パッケージ TO-220AB
高さ 16.51 mm
長さ 10.668 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 65 ns
発売日 2009-01-06
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
耐放射線 なし
立上り 時間 64 ns
連続ドレイン電流 (ID) 120 A
ドレインソース間降伏電圧 75 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 230 W
消費電力 230 W
最終受注日 2014-05-05
ドレインソース間抵抗 5.8 mΩ
入力容量 4.75 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 5.8 mΩ
抵抗 5.8 MΩ