IRFR220NTRPBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFR220NTRPBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 5A I(D), 200V, 0.6Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-252AA
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFR220NTRPBF IR 2011 30000 PDF 見積
IRFR220NTR#PBF IR 200,625 1242 PDF 見積
IRFR220NTR#PBF IR 200,703 1962 PDF 見積
IRFR220NTRPBF ir dc0718 1970 PDF 見積
IRFR220NTRPBF IR 9 4000 PDF 見積
IRFR220NTRPBF IR 2011 6000 PDF 見積
IRFR220NTRPBF IR 1249 8700 PDF 見積
IRFR220NTRPBF 30000 PDF 見積
IRFR220NTRPBF IR 20000 PDF 見積
IRFR220NTRPBF IR 21 20100 PDF 見積
IRFR220NTRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 49 PDF 見積
IRFR220NTRPBF INFINEON 50000 PDF 見積
IRFR220NTRPBF INFINEON 24000 PDF 見積
IRFR220NTRPBF INFINEON 5140 PDF 見積
IRFR220NTRPBF IR(RoHS) 07 1090 PDF 見積
IRFR220NTRPBF IR 32950 PDF 見積
IRFR220NTRPBF INFINEON 5000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 200 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 4 V
定格電圧 (DC) 200 V
6.22 mm
ターンオフ遅延時間 20 ns
ターンオン遅延時間 6.4 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 200 V
ケース/パッケージ DPAK
高さ 2.52 mm
長さ 6.7056 mm
梱包数量 2000
素子構成 1回路
立下り 時間 12 ns
発売日 2004-03-02
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
梱包形態 テープ&リール
耐放射線 なし
立上り 時間 11 ns
連続ドレイン電流 (ID) 5 A
定格電流 5 A
ドレインソース間降伏電圧 200 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V