IRFR9120NTRLPBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFR9120NTRLPBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: Power MOSFET, P チャネル, 100V, 6.6A, 0.48Ω, TO-252AA, 表面実装
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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IRFR9120NTRLPBF INFINEON/IR 6000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -100 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) -100 V
6.22 mm
ターンオフ遅延時間 28 ns
ターンオン遅延時間 14 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 100 V
ケース/パッケージ DPAK
高さ 2.3876 mm
長さ 6.7056 mm
梱包数量 3000
素子構成 1回路
立下り 時間 31 ns
発売日 2004-02-18
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
耐放射線 なし
立上り 時間 47 ns
連続ドレイン電流 (ID) 6.6 A
定格電流 -6.6 A
ドレインソース間降伏電圧 -100 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 40 W
消費電力 39 W
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080