IRLHM620TR2PBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRLHM620TR2PBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: MOSFET, 20V, 40A, 2.5mΩ, 2.5V DRIVE キャップABLE, PQFN3.3X3.3
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRLHM620TR2PBF 400 PDF 見積
お問い合わせ
主な取引先
FORESKYが選ばれる理由
  • 入手困難品もスピード調達
  • 元メーカー技術者が代替品を提案
  • 基本6ヶ月保証(返金・交換対応)
  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 20 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 800 mV
3.3 mm
ターンオフ遅延時間 57 ns
ターンオン遅延時間 7.5 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 20 V
ケース/パッケージ VQFN
高さ 900 µm
長さ 3.2766 mm
立下り 時間 37 ns
発売日 2010-11-04
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 5
梱包形態 カットテープ
耐放射線 なし
回復 時間 62 ns
立上り 時間 25 ns
連続ドレイン電流 (ID) 26 A
ドレインソース間降伏電圧 20 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 12 V
最大消費電力 37 W
消費電力 2.7 W
閾値電圧 800 mV
最終受注日 2014-05-12