ISL9N302AS3ST
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
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ISL9N302AS3ST

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 75A I(D), 30V, 0.0033Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-263AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
ISL9N302AS3ST FAIRCHILD - 2 PDF 見積
ISL9N302AS3ST FAIRCHILD - 13 PDF 見積
ISL9N302AS3ST FAIRCHILD SEMI. 0647AD/0648AF 63 PDF 見積
ISL9N302AS3ST FAIRCHILD 136 50 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 30 V
ターンオフ遅延時間 45 ns
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 30 V
ケース/パッケージ TO-263-3
素子構成 1回路
立下り 時間 34 ns
発売日 2001-05-31
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
端子数 2
立上り 時間 120 ns
連続ドレイン電流 (ID) 75 A
定格電流 75 A
ドレインソース間降伏電圧 30 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 345 W
消費電力 345 W
最終受注日 2009-12-11
最終納入日 2010-06-11
ドレインソース間抵抗 3.3 mΩ
入力容量 11 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 2.3 mΩ