IXFH26N50P
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IXFH26N50P

Littelfuse
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 26A I(D), 500V, 0.23Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-247AD
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IXFH26N50P IXYS CORPORATION 4680 PDF 見積
IXFH26N50P IXYS CORPORATION 2210 PDF 見積
IXFH26N50P IXYS CORPORATION 2014 PDF 見積
IXFH26N50P IXYS CORPORATION 70 PDF 見積
IXFH26N50P IXYS CORPORATION 30 PDF 見積
IXFH26N50P IXYS CORPORATION 25 PDF 見積
IXFH26N50P IXYS CORPORATION 25 PDF 見積
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IXFH26N50P IXYS CORPORATION 25 PDF 見積
IXFH26N50P IXYS CORPORATION 25 PDF 見積
IXFH26N50P IXYS CORPORATION 10 PDF 見積
IXFH26N50P IXYS/LITTELFUSE 4800 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 500 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 500 V
5.3 mm
ターンオフ遅延時間 58 ns
ターンオン遅延時間 20 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 500 V
ケース/パッケージ TO-247
高さ 21.46 mm
長さ 16.26 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 20 ns
発売日 2005-08-10
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
逆方向 回復 時間 200 ns
立上り 時間 25 ns
連続ドレイン電流 (ID) 26 A
定格電流 26 A
ドレインソース間降伏電圧 500 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 30 V
最大消費電力 400 W
消費電力 400 W
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
ドレインソース間抵抗 230 mΩ
入力容量 3.6 nF