MTD20N06HDT4
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

MTD20N06HDT4

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 20A I(D), 60V, 0.045Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
MTD20N06HDT4 ON-SEMI (ON Semiconductor) 0149 559 PDF 見積
MTD20N06HDT4 ON-SEMI (ON Semiconductor) 0149 2490 PDF 見積
MTD20N06HDT4 ON-SEMI (ON Semiconductor) 0207 2500 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 60 V
ケース/パッケージ DPAK
発売日 1994-05-01
鉛フリー 鉛含有
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
連続ドレイン電流 (ID) 20 A
最大消費電力 40 W
最終受注日 2004-12-31
最終納入日 2005-06-30
ドレインソース間抵抗 45 mΩ