NTA7002NT1G
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NTA7002NT1G

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: シングル Nチャネル 30V 7.5Ω 300mW シリコン 表面実装 MOSFET - SC-75-3
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
NTA7002NT1G ON 834 389 PDF 見積
NTA7002NT1G ONS 10800 PDF 見積
NTA7002NT1G ONS 2000 10168 PDF 見積
NTA7002NT1G ON 834 389 PDF 見積
NTA7002NT1G ONSemiconductor 11600 PDF 見積
NTA7002NT1G ON 19 117720 PDF 見積
NTA7002NT1G ON SEMICONDUCTOR 8999 PDF 見積
NTA7002NT1G ON SEMICONDUCTOR 3000 PDF 見積
NTA7002NT1G ON SEMICONDUCTOR 3000 PDF 見積
NTA7002NT1G ON SEMICONDUCTOR 3000 PDF 見積
NTA7002NT1G ON SEMICONDUCTOR 3000 PDF 見積
NTA7002NT1G ON SEMICONDUCTOR 3000 PDF 見積
NTA7002NT1G ON SEMICONDUCTOR 3000 PDF 見積
NTA7002NT1G ON SEMICONDUCTOR 3000 PDF 見積
NTA7002NT1G ON 60000 PDF 見積
NTA7002NT1G ON 84000 PDF 見積
NTA7002NT1G ON 6000 PDF 見積
NTA7002NT1G ON-SEMI(RoHS) 18 125 PDF 見積
NTA7002NT1G ON 159000 PDF 見積
NTA7002NT1G ONSEMI 60000 PDF 見積
NTA7002NT1G ONSEMI 33000 PDF 見積
お問い合わせ
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FORESKYが選ばれる理由
  • 入手困難品もスピード調達
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  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 1 V
定格電圧 (DC) 30 V
900 µm
ターンオフ遅延時間 98 ns
ターンオン遅延時間 13 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
ケース/パッケージ SC
高さ 800 µm
長さ 1.65 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 60 ns
発売日 2005-02-01
鉛フリー 鉛フリー
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 テープ&リール
耐放射線 なし
立上り 時間 15 ns
連続ドレイン電流 (ID) 154 mA
定格電流 154 mA
ドレインソース間降伏電圧 30 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 10 V
最大消費電力 300 mW
消費電力 300 mW
閾値電圧 1 V