NTD4804NT4G
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

NTD4804NT4G

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: Nチャネル 30V 4 mΩ 1.43W 表面実装 パワーMOSFET - TO-252-3
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
NTD4804NT4G ON 845 73 PDF 見積
NTD4804NT4G ON 845 70 PDF 見積
NTD4804NT4G ONS 3490 PDF 見積
NTD4804NT4G ONS 2000 1323 PDF 見積
NTD4804NT4G ON SEMICONDUCTOR 1889 PDF 見積
NTD4804NT4G ONSEMI 10000 PDF 見積
お問い合わせ
主な取引先
FORESKYが選ばれる理由
  • 入手困難品もスピード調達
  • 元メーカー技術者が代替品を提案
  • 基本6ヶ月保証(返金・交換対応)
  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
最低動作温度 -55 °C
6.22 mm
ターンオフ遅延時間 35 ns
ターンオン遅延時間 18 ns
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 30 V
ケース/パッケージ DPAK
高さ 2.38 mm
長さ 6.73 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 5 ns
発売日 2006-04-04
鉛フリー 鉛フリー
素子数 1
ピン数 4
端子数 2
梱包形態 テープ&リール
耐放射線 なし
立上り 時間 19 ns
連続ドレイン電流 (ID) 14.5 A
ドレインソース間降伏電圧 30 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 93.75 W
消費電力 2.5 W
閾値電圧 2.5 V
コンタクトめっき
最終受注日 2022-04-01
最終納入日 2022-10-01
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080