NTMFS5C670NLT1G
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

NTMFS5C670NLT1G

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: トランジスタ, MOSFET, パワー, シングル, Nチャネル, 60V, 6.1MΩ, 71A, NTMFS5C670NL
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
NTMFS5C670NLT1G ON 18 13600 PDF 見積
NTMFS5C670NLT1G ON 1820+ 87 PDF 見積
NTMFS5C670NLT1G ON 490 PDF 見積
NTMFS5C670NLT1G ON 1500 PDF 見積
NTMFS5C670NLT1G ONSEMI 6000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 60 V
最低動作温度 -55 °C
6.1 mm
ターンオフ遅延時間 15 ns
ターンオン遅延時間 11 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 60 V
ケース/パッケージ DFN
高さ 1.1 mm
長さ 5.1 mm
素子構成 1回路
発売日 2015-05-29
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 5
端子数 5
連続ドレイン電流 (ID) 71 A
ドレインソース間降伏電圧 60 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 61 W
消費電力 3.6 W
閾値電圧 2 V
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
ドレインソース間抵抗 8.8 mΩ
入力容量 1.4 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 6.1 mΩ