RD3G03BATTL1
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

RD3G03BATTL1

ROHM
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 35A I(D), 40V, 0.024Ω, 1素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-252
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
RD3G03BATTL1 ROHM 100 PDF 見積
RD3G03BATTL1 ROHM 2022 230 PDF 見積
RD3G03BATTL1 ROHM 2023 2500 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 40 V
発売日 2020-11-05
素子数 1
端子数 2
連続ドレイン電流 (ID) 35 A
最大消費電力 56 W
ドレインソース間抵抗 24 mΩ