RFP2N20
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

RFP2N20

Intersil
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 2A I(D), 200V, 3.5Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-220AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
RFP2N20 HARRIS 19 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 200 V
発売日 1986-04-01
素子数 1
端子数 3
連続ドレイン電流 (ID) 2 A
最大消費電力 25 W
消費電力 25 W
ドレインソース間抵抗 3.5 Ω