RZE002P02TL
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

RZE002P02TL

ROHM
カテゴリ: MOSFET
概要: 小信号電界効果トランジスタ, 0.2A I(D), 20V, 1素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
RZE002P02TL ROHM 11 100 PDF 見積
RZE002P02TL ROHM 90000 PDF 見積
RZE002P02TL 153000 PDF 見積
RZE002P02 TL ROHM 2011+ 5441 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 20 V
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 17 ns
ターンオン遅延時間 6 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 20 V
立下り 時間 17 ns
発売日 2009-06-16
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
耐放射線 なし
立上り 時間 4 ns
連続ドレイン電流 (ID) 200 mA
ドレインソース間降伏電圧 -20 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 10 V
最大消費電力 150 mW
消費電力 150 mW
コンタクトめっき 銅, 銀, 錫
ドレインソース間抵抗 1.2 Ω
入力容量 115 pF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 1.2 Ω