SPP17N80C3XKSA1
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SPP17N80C3XKSA1

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 17A I(D), 800V, 0.29Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-220AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SPP17N80C3XKSA1 600 PDF 見積
SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technology 1733 139 PDF 見積
SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technology 1732 500 PDF 見積
SPP17N80C3XKSA1 Infineon 10000 PDF 見積
SPP17N80C3XKSA1 INFINEON 4000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 800 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 800 V
ターンオフ遅延時間 72 ns
ターンオン遅延時間 25 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 800 V
ケース/パッケージ TO-220
梱包数量 500
立下り 時間 6 ns
発売日 2001-02-14
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 バルク
耐放射線 なし
立上り 時間 15 ns
連続ドレイン電流 (ID) 17 A
定格電流 17 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大デュアル電源電圧 800 V
最大消費電力 208 W
消費電力 208 W
ハロゲンフリー ハロゲンフリー
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
ドレインソース間抵抗 290 mΩ
オン抵抗 (RDS(on)) 290 mΩ