STN1HNK60
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

STN1HNK60

STMicroelectronics
カテゴリ: MOSFET
概要: パワーMOSFET トランジスタ 600V 8Ω 1A N-Chnnl SUPERMESH MOSFET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
STN1HNK60 sgs dc0820 2410 PDF 見積
STN1HNK60 ST 3817 PDF 見積
STN1HNK60 ST 16000 PDF 見積
STN1HNK60 STM 60000 PDF 見積
STN1HNK60 STM 16000 PDF 見積
STN1HNK60 ST 2502 PDF 見積
STN1HNK60 88000 PDF 見積
STN1HNK60 STM 16000 PDF 見積
STN1HNK60 ST 19 809 PDF 見積
STN1HNK60 ST 64570 PDF 見積
stn1hnk60 ST 24800 PDF 見積
STN1HNK60 STM 60000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 600 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 3 V
定格電圧 (DC) 600 V
3.5 mm
ターンオフ遅延時間 19 ns
ターンオン遅延時間 6.5 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 600 V
ケース/パッケージ SOT-223
高さ 1.82 mm
長さ 6.5 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 25 ns
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 4
梱包形態 テープ&リール
耐放射線 なし
立上り 時間 5 ns
連続ドレイン電流 (ID) 400 mA
定格電流 400 mA
ドレインソース間降伏電圧 600 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 30 V
最大消費電力 3.3 W
消費電力 3.3 W