STP75NF75FP
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実際の製品とは
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STP75NF75FP

STMicroelectronics
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 80A I(D), 75V, 0.011Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-220AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
STP75NF75FP ST MICROELECTRONICS SEMI 15000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 75 V
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 66 ns
ターンオン遅延時間 25 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 75 V
ケース/パッケージ TO-220-3
高さ 20 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 30 ns
発売日 1980-01-04
実装方式 スルーホール
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
耐放射線 なし
立上り 時間 100 ns
連続ドレイン電流 (ID) 80 A
ドレインソース間降伏電圧 75 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 45 W
消費電力 45 W
閾値電圧 2 V
スケジュールB 8541290080
ドレインソース間抵抗 11 mΩ
入力容量 3.7 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 11 mΩ