IRF540PBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF540PBF

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 28A I(D), 100V, 0.077Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF540PBF SILICONIX 830 66 PDF 見積
IRF540PBF IR/VISH 1,225 6667 PDF 見積
IRF540PBF VISH/IR 2250 PDF 見積
IRF540PBF VIS 3100 PDF 見積
IRF540PBF VISHAY 2250 PDF 見積
IRF540PBF IR/VISH 1317 9580 PDF 見積
IRF540PBF VISH/IR 8600 PDF 見積
IRF540PBF 2900 PDF 見積
IRF540PBF SILICONIX 830 66 PDF 見積
IRF540PBF VISHAY 1250 PDF 見積
IRF540PBF VISHAY 21 4384 PDF 見積
IRF540PBF VISHAY(RoHS) 15 16 PDF 見積
IRF540PBF Siliconix (Vishay Siliconix) 1510 21 PDF 見積
IRF540PBF VISHAY 2023 1000 PDF 見積
お問い合わせ
主な取引先
FORESKYが選ばれる理由
  • 入手困難品もスピード調達
  • 元メーカー技術者が代替品を提案
  • 基本6ヶ月保証(返金・交換対応)
  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 4 V
定格電圧 (DC) 100 V
4.7 mm
ターンオフ遅延時間 53 ns
ターンオン遅延時間 11 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 100 V
ケース/パッケージ TO-220AB
電流 28 A
高さ 19.89 mm
長さ 10.51 mm
電圧 100 V
素子構成 1回路
立下り 時間 43 ns
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 バルク
耐放射線 なし
回復 時間 360 ns
立上り 時間 44 ns
重量 6.000006 g
連続ドレイン電流 (ID) 28 A
定格電流 28 A