IRF840ALPBF
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実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF840ALPBF

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: POWER MOSFET パワー電界効果トランジスタ, 8A I(D), 500V, 0.85Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-262AA
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF840ALPBF VISHAY 1000 PDF 見積
IRF840ALPBF VISH/IR 2013 1000 PDF 見積
IRF840ALPBF INTERNATIONALRECT 1019 PDF 見積
IRF840ALPBF VIS 4000 PDF 見積
IRF840ALPBF VIS 4000 PDF 見積
IRF840ALPBF VIS 2000 PDF 見積
IRF840ALPBF VISHAY 6000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 500 V
最低動作温度 -55 °C
4.7 mm
ターンオフ遅延時間 26 ns
ターンオン遅延時間 11 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 500 V
ケース/パッケージ TO-262-3
高さ 9.65 mm
長さ 10.41 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 19 ns
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 バルク
耐放射線 なし
立上り 時間 23 ns
重量 2.387001 g
連続ドレイン電流 (ID) 8 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 30 V
最大消費電力 3.1 W
消費電力 3.1 W
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
ドレインソース間抵抗 850 mΩ
入力容量 1.018 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 850 mΩ