IRFD024
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFD024

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 2.5A I(D), 60V, 0.1Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFD024 I&R - 2 PDF 見積
IRFD024 - 1 PDF 見積
IRFD024 I&R - 8 PDF 見積
IRFD024 IRF - 30 PDF 見積
IRFD024 IRF 1月26日 5 PDF 見積
IRFD024 IR 349 63 PDF 見積
IRFD024 2,001 60 PDF 見積
IRFD024 IR 536 300 PDF 見積
IRFD024 IR N/A 182 PDF 見積
IRFD024 ir dc99 200 PDF 見積
IRFD024 IR 1,996 350 PDF 見積
IRFD024 InternationalRectifier 6,286 762 PDF 見積
IRFD024 IR NONE 8 PDF 見積
IRFD024 IR 96 1750 PDF 見積
IRFD024 **/1 90 44 PDF 見積
IRFD024 IR 97 134 PDF 見積
IRFD024 IR 97 95 PDF 見積
IRFD024 I&R 2 PDF 見積
IRFD024 1 PDF 見積
IRFD024 I&R 8 PDF 見積
IRFD024 IRF 30 PDF 見積
IRFD024 IRF 41,300 5 PDF 見積
IRFD024 IR 2000 2000 PDF 見積
IRFD024 IR 2000 2000 PDF 見積
IRFD024 IR 69 PDF 見積
IRFD024 INTERNATIONALRECTIFIER 16 PDF 見積
お問い合わせ
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  • 入手困難品もスピード調達
  • 元メーカー技術者が代替品を提案
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  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 60 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 60 V
6.29 mm
ターンオフ遅延時間 25 ns
ターンオン遅延時間 13 ns
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 60 V
ケース/パッケージ DIP
高さ 3.37 mm
長さ 5 mm
立下り 時間 58 ns
発売日 1990-01-01
鉛フリー 鉛含有
実装方式 スルーホール
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 4
端子数 3
梱包形態 バルク
耐放射線 なし
立上り 時間 58 ns
連続ドレイン電流 (ID) 2.5 A
定格電流 2.5 A
ドレインソース間降伏電圧 60 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 1.3 W
消費電力 1.3 W
最終受注日 2008-06-30
最終納入日 2008-09-30