IRFD120PBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFD120PBF

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: POWER MOSFET パワー電界効果トランジスタ, 1.3A I(D), 100V, 0.27Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFD120PBF IR/VISHAY PBFREE 1503 PDF 見積
IRFD120PBF sil dc09 730 PDF 見積
IRFD120PBF IR/VISH 1,226 3147 PDF 見積
IRFD120PBF VISH/IR 16800 PDF 見積
IRFD120PBF VIS 7600 PDF 見積
IRFD120PBF VISHAY 16800 PDF 見積
IRFD120PBF VISH/IR 2012 15800 PDF 見積
IRFD120PBF IR/VISH 2305 PDF 見積
IRFD120PBF 8100 PDF 見積
IRFD120PBF VISHAY 2500 PDF 見積
IRFD120PBF VISHAY 21 15849 PDF 見積
IRFD120PBF International Rectifier (IR) 719 31 PDF 見積
IRFD120PBF 1700 PDF 見積
IRFD120PBF VISHAY 5400 PDF 見積
IRFD120PBF VISHAY 2023 2500 PDF 見積
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FORESKYが選ばれる理由
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  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 100 V
6.29 mm
ターンオフ遅延時間 18 ns
ターンオン遅延時間 6.8 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 100 V
ケース/パッケージ DIP
高さ 4.57 mm
長さ 5 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 27 ns
発売日 1997-07-11
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 4
端子数 4
梱包形態 バルク
耐放射線 なし
回復 時間 260 ns
立上り 時間 27 ns
連続ドレイン電流 (ID) 1.3 A
定格電流 1.3 A
ドレインソース間降伏電圧 100 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 1.3 W