IRFR214TRPBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFR214TRPBF

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 2.2A I(D), 250V, 2Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-252AA
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFR214TRPBF VISHAY 1863 PDF 見積
IRFR214TRPBF VIS 8000 PDF 見積
IRFR214TRPBF VIS 32000 PDF 見積
IRFR214TRPBF VIS 16000 PDF 見積
IRFR214TRPBF VIS 2000 PDF 見積
IRFR214TRPBF VISHAY(RoHS) 0812 1045 PDF 見積
IRFR214TRPBF VISHAY 4000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 250 V
最低動作温度 -55 °C
6.22 mm
ターンオフ遅延時間 16 ns
ターンオン遅延時間 7 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 250 V
ケース/パッケージ DPAK
高さ 2.39 mm
長さ 6.73 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 7 ns
発売日 1997-07-21
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
耐放射線 なし
立上り 時間 7.6 ns
重量 1.437803 g
連続ドレイン電流 (ID) 2.2 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 25 W
消費電力 2.5 W
最終受注日 2024-11-04
最終納入日 2025-05-04
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
ドレインソース間抵抗 2 Ω