IRLR024
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRLR024

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 14A I(D), 60V, 0.1Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-252
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRLR024 9024 19 PDF 見積
IRLR024 I&R 2000 34 PDF 見積
irlr024 182 PDF 見積
IRLR024 IR 95 172 PDF 見積
IRLR024 9,024 19 PDF 見積
IRLR024 I&R 2,000 34 PDF 見積
IRLR024 INTERNATIONALRECTIFIER 22000 PDF 見積
IRLR024 INTERNATIONALRECTIFIER 4000 PDF 見積
IRLR024 INTERNATIONALRECTIFIER 59000 PDF 見積
IRLR024 INTERNATIONALRECTIFIER 2050 PDF 見積
IRLR024 INTERNATIONALRECTIFIER 5000 PDF 見積
IRLR024 INTERNATIONALRECTIFIER 9000 PDF 見積
IRLR024 IR (International Rectifier) 06 50 PDF 見積
IRLR024 Infineon 195 PDF 見積
お問い合わせ
主な取引先
FORESKYが選ばれる理由
  • 入手困難品もスピード調達
  • 元メーカー技術者が代替品を提案
  • 基本6ヶ月保証(返金・交換対応)
  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 60 V
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 23 ns
ターンオン遅延時間 11 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 60 V
ケース/パッケージ DPAK
素子構成 1回路
立下り 時間 41 ns
発売日 1990-01-01
鉛フリー 鉛含有
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
耐放射線 なし
立上り 時間 110 ns
連続ドレイン電流 (ID) 14 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 10 V
最大消費電力 42 W
消費電力 2.5 W
最終受注日 2008-06-30
最終納入日 2008-09-30
ドレインソース間抵抗 100 mΩ
入力容量 870 pF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 100 mΩ