SI2301BDS-T1
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SI2301BDS-T1

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: P-チャネル MOSFET Rds=0.1Ω 2A 20V 0.9W TO-236(SOT-23)
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI2301BDS-T1 509 111 PDF 見積
SI2301BDS-T1 SILICONIX - 25 PDF 見積
SI2301BDS-T1 - 78 PDF 見積
SI2301BDS-T1 VISHAY 02/22/05 278 PDF 見積
SI2301BDS-T1 VISHAY 509 120 PDF 見積
SI2301BDS-T1 VISHAY 08/01/2004 3000 PDF 見積
SI2301BDS-T1 VISHAY 430 2500 PDF 見積
SI2301BDS-T1 VISHAY 6000 PDF 見積
SI2301BDS-T1 VIS 0 6000 PDF 見積
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SI2301BDS-T1 78 PDF 見積
SI2301BDS-T1 VISHAY 02/22/05 290 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -20 V
最低動作温度 -55 °C
1.4 mm
ターンオフ遅延時間 30 ns
ターンオン遅延時間 20 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 20 V
ケース/パッケージ SOT-23-3
高さ 1.02 mm
長さ 3.04 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 40 ns
発売日 2003-10-20
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
立上り 時間 40 ns
重量 1.437803 g
連続ドレイン電流 (ID) 2.2 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 8 V
最大消費電力 900 mW
消費電力 900 mW
最終受注日 2012-01-19
最終納入日 2012-07-19
ドレインソース間抵抗 100 mΩ