SI4416DY-T1-E3
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SI4416DY-T1-E3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 6.9A I(D), 30V, 0.018Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI4416DY-T1-E3 VISHAY 507 1764 PDF 見積
SI4416DY-T1-E3 VISHAY 530 2440 PDF 見積
SI4416DY-T1-E3 SILICONIX 205 2418 PDF 見積
SI4416DY-T1-E3 VISHAY 711 PDF 見積
SI4416DY-T1-E3 SILICONIX 3503 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
最低動作温度 -55 °C
4 mm
ターンオフ遅延時間 34 ns
ターンオン遅延時間 16 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
ケース/パッケージ SO
高さ 1.55 mm
長さ 5 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 10 ns
発売日 2000-04-01
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 8
立上り 時間 10 ns
重量 506.605978 mg
連続ドレイン電流 (ID) 6.9 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 2.5 W
消費電力 1.4 W
最終受注日 2008-12-17
最終納入日 2009-06-18
ドレインソース間抵抗 18 mΩ