SI7415DN-T1-E3
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SI7415DN-T1-E3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: シングル P-チャネル 60V 0.065Ω 表面実装 パワーMOSFET - PowerPAK-1212-8
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI7415DN-T1-E3 VISHAY/SILICONIX 08+ 24000 PDF 見積
SI7415DN-T1-E3 VISHAY - 220 PDF 見積
SI7415DNT1E3 vishay dc0447 1480 PDF 見積
SI7415DN-T1-E3 VISHAY 1237 3000 PDF 見積
SI7415DN-T1-E3 VISHAY/SILICONIX 8 24000 PDF 見積
SI7415DN-T1-E3 VISHAY 220 PDF 見積
SI7415DN-T1-E3 SILICONIX 52 PDF 見積
SI7415DN-T1-E3 VIS 27000 PDF 見積
SI7415DN-T1-E3 VIS 6000 PDF 見積
SI7415DN-T1-E3 VIS 6000 PDF 見積
SI7415DN-T1-E3 VIS 6000 PDF 見積
SI7415DN-T1-E3 VIS 6000 PDF 見積
SI7415DN-T1-E3 VIS 6000 PDF 見積
SI7415DN-T1-E3 Unknown 22+ 23478 PDF 見積
SI7415DN-T1-E3 3000 PDF 見積
SI7415DN-T1-E3 VISHAY 9000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -60 V
最低動作温度 -55 °C
3.05 mm
ターンオフ遅延時間 22 ns
ターンオン遅延時間 12 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 60 V
高さ 1.12 mm
長さ 3.05 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 12 ns
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 5
耐放射線 なし
立上り 時間 12 ns
連続ドレイン電流 (ID) 3.6 A
ドレインソース間降伏電圧 -60 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 3.8 W
消費電力 1.5 W
閾値電圧 -3 V
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
ドレインソース間抵抗 65 mΩ
最大オン抵抗 (Rds(on)) 65 mΩ
抵抗 65 mΩ