SI7852DP-T1-GE3
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
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SI7852DP-T1-GE3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: MOSFETトランジスタ Nチャネル 80V 7.6A 8ピン PowerPAK SO EP テープ&リール
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI7852DP-T1-GE3 vishay 3000 PDF 見積
SI7852DP-T1-GE3 VISHAY 21 312 PDF 見積
SI7852DP-T1-GE3 VISHAY 6000 PDF 見積
SI7852DP-T1-GE3 VISHAY 1912+ 3 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 80 V
最低動作温度 -55 °C
5.89 mm
ターンオフ遅延時間 40 ns
ターンオン遅延時間 17 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 80 V
高さ 1.12 mm
長さ 4.9 mm
メーカーパッケージ識別子 S17-0173-1回路
素子構成 1回路
立下り 時間 31 ns
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 5
耐放射線 なし
立上り 時間 11 ns
重量 506.605978 mg
連続ドレイン電流 (ID) 7.6 A
ドレインソース間降伏電圧 80 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 5.2 W
消費電力 1.9 W
閾値電圧 2 V
コンタクトめっき
ドレインソース間抵抗 16.5 mΩ