SI9400DY
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SI9400DY

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: 小信号電界効果トランジスタ, 2.5A I(D), 20V, 1素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI9400DY SILICONIX 0 4999 PDF 見積
SI9400DY SILICONIX T206 3 PDF 見積
SI9400DY SILICONIX - 20 PDF 見積
SI9400DY sil dc93 83692 PDF 見積
SI9400DY sil dc03 946 PDF 見積
SI9400DY SILICO 92+93999941 10580 PDF 見積
SI9400DY SILICONIX 1,220,124 1500 PDF 見積
SI9400DY SIL 91 73 PDF 見積
SI9400DY VISH 0 4450 PDF 見積
SI9400DY SILICONIX 94 100 PDF 見積
SI9400DY SILICONIX 0 4999 PDF 見積
SI9400DY SILICONIX T206 3 PDF 見積
SI9400DY SILICONIX 20 PDF 見積
SI9400DY SILICONIX 95 156 PDF 見積
SI9400DY Siliconix 7 PDF 見積
SI9400DY Siliconix 17 PDF 見積
SI9400DY Siliconix 470 PDF 見積
SI9400DY Siliconix 101 PDF 見積
SI9400DY Siliconix 1000 PDF 見積
SI9400DY SILICONIX 66 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -20 V
最低動作温度 -55 °C
4 mm
ターンオフ遅延時間 20 ns
ターンオン遅延時間 10 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 20 V
ケース/パッケージ SO
高さ 1.55 mm
長さ 5 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 10 ns
発売日 1993-01-01
チャネル数 1
素子数 1
端子数 8
立上り 時間 12 ns
重量 506.605978 mg
連続ドレイン電流 (ID) 2.5 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 2.5 W
消費電力 2.5 W
最終受注日 2004-05-31
最終納入日 2004-08-30
ドレインソース間抵抗 400 mΩ