SI9945AEY-T1-E3
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異なる場合があります。

SI9945AEY-T1-E3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: デュアルNチャネル 60V(D-S)175℃ MOSFETパワー電界効果トランジスタ, 3.7A I(D), 60V, 0.08Ω, 2素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
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型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI9945AEY-T1-E3 SILICONIX - 45 PDF 見積
SI9945AEY-T1-E3 SILICONIX - 1 PDF 見積
SI9945AEY-T1-E3 SILICONIX 519 1 PDF 見積
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SI9945AEY-T1-E3 VISH 10 2500 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 60 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 3 V
4 mm
ターンオフ遅延時間 21 ns
ターンオン遅延時間 9 ns
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 60 V
ケース/パッケージ SO
高さ 1.55 mm
長さ 5 mm
素子構成 2回路
立下り 時間 8 ns
発売日 2006-06-21
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 2
素子数 2
ピン数 8
端子数 8
耐放射線 なし
立上り 時間 10 ns
重量 186.993455 mg
連続ドレイン電流 (ID) 3.7 A
ドレインソース間降伏電圧 60 V
両電源電圧 60 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 2.4 W
消費電力 2.4 W
閾値電圧 3 V