SIRA12BDP-T1-GE3
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SIRA12BDP-T1-GE3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 60A I(D), 30V, 0.0043Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SIRA12BDP-T1-GE3 VISHAY 15000 PDF 見積
お問い合わせ
主な取引先
FORESKYが選ばれる理由
  • 入手困難品もスピード調達
  • 元メーカー技術者が代替品を提案
  • 基本6ヶ月保証(返金・交換対応)
  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最低動作温度 -55 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
発売日 2018-03-26
素子数 1
端子数 5
連続ドレイン電流 (ID) 60 A
最大消費電力 38 W
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
ドレインソース間抵抗 4.3 mΩ