TJ80S04M3L(T6L1,NQ
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 80A I(D), 40V, 0.0079Ω, 1素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TOS 15 PDF 見積
TJ80S04M3L T6L1 NQ Unknown 21+ 15236 PDF 見積
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TOSHIBA 2020 485 PDF 見積
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TOSHIBA 2016 536 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 40 V
最低動作温度 -55 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 40 V
ケース/パッケージ TO-252-3
立下り 時間 300 ns
発売日 2016-07-29
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
梱包形態 テープ&リール (TR)
耐放射線 なし
立上り 時間 100 ns
連続ドレイン電流 (ID) 80 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 10 V
最大消費電力 100 W
定格 AEC-Q101
ドレインソース間抵抗 7.9 mΩ
入力容量 7.77 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 5.2 mΩ