TP0202T-T1
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

TP0202T-T1

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: 小信号電界効果トランジスタ, 0.41A I(D), 20V, 1素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-236AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
TP0202T-T1 1640 PDF 見積
TP0202TT1 SILICO 1 2010 PDF 見積
TP0202T-T1 SILICON 0 828 PDF 見積
TP0202T-T1 SILICONIX 98 2500 PDF 見積
TP0202T-T1 2988 PDF 見積
TP0202T-T1 SILICONIX (Vishay-Siliconix) 98 2500 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最低動作温度 -55 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 20 V
ケース/パッケージ TO-236
発売日 1994-01-01
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
連続ドレイン電流 (ID) 410 mA
最大消費電力 350 mW
最終受注日 2004-07-31
最終納入日 2004-10-30
ドレインソース間抵抗 1.4 Ω