STI13NM60N
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実際の製品とは
異なる場合があります。

STI13NM60N

STMicroelectronics
カテゴリ: MOSFET
概要: N-チャネル 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II パワー MOSFET in I2PAK パッケージ
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 600 V
最低動作温度 -55 °C
4.6 mm
ターンオフ遅延時間 30 ns
ターンオン遅延時間 3 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 600 V
ケース/パッケージ TO-262-3
高さ 10.75 mm
長さ 10.4 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 10 ns
発売日 2009-02-23
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
耐放射線 いいえ
立上り 時間 8 ns
連続ドレイン電流 (ID) 11 A
ドレインソース間降伏電圧 600 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 25 V
最大消費電力 90 W
消費電力 90 W
閾値電圧 3 V
ドレインソース間抵抗 360 mΩ
入力容量 790 pF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 360 mΩ
抵抗 360 MΩ