SUD50P08-25L-E3
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SUD50P08-25L-E3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: 1回路 P-チャネル 80 V 0.0252 Ohms 表面実装 パワー MOSFET - TO-252
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -80 V
最低動作温度 -55 °C
6.22 mm
ターンオフ遅延時間 95 ns
ターンオン遅延時間 45 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 80 V
ケース/パッケージ DPAK
高さ 2.507 mm
長さ 6.73 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 100 ns
発売日 2005-12-02
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
耐放射線 いいえ
立上り 時間 25 ns
重量 1.437803 g
連続ドレイン電流 (ID) 12.5 A
ドレインソース間降伏電圧 -80 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 136 W
消費電力 8.3 W
閾値電圧 -3 V
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080