BSC016N06NSATMA1
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BSC016N06NSATMA1

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー MOSFET, N チャネル, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, 表面実装
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 60 V
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 35 ns
ターンオン遅延時間 19 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 60 V
高さ 1.1 mm
梱包数量 5000
立下り 時間 9 ns
発売日 2012-02-06
鉛フリー 鉛含有
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 8
梱包形態 テープ&リール
立上り 時間 9 ns
連続ドレイン電流 (ID) 30 A
ドレインソース間降伏電圧 60 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大デュアル電源電圧 60 V
最大消費電力 139 W
消費電力 2.5 W
コンタクトめっき
ハロゲンフリー ハロゲンフリー
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
ドレインソース間抵抗 1.6 mΩ
入力容量 5.2 nF